高純度超微粒子創成装置 TN-2000S

レーザー・アブレーション法を高度化して高融点金属を加熱蒸発し、
同時に蒸発粒子をイオン化誘起反応させて、機能性ナノ微粒子や薄膜合成を行う事が出来ます。

パルス
高強度レーザー
Nd:YAGレーザー
発振器 最大パルスエネルギー2.5J、パルス幅 8ns
繰り返し周期 20Hz、波長 1064nm(2倍波 532nm使用) Qスイッチ変換方式
反応槽
材質304SUS、到達圧力 10-7Pa、容積 8m3
排気系
RP-TMP方式
ガス圧流量制御系
反応・冷却ガスマスフロメーター(二系統)・バルブ付き
自動圧力コントローラー付き
捕集用基板ホルダー
X-Y-Z 3軸移動ゴニオメーター(10-50mm)、自動回転機構付き
基板加熱ヒーター(超小型ハロゲンランプ型、最高加熱温度700℃)
蒸発ターゲット基板
2軸移動ゴニオメーター(50mm)、自動回転機構付き
反射高速電子線回析装置
RHEED(30KV、収束・偏向レンズ内蔵型、制御電源)
低エネルギーイオン加速器
LEI(0.3-3KV、熱電子衝撃型、収束・偏向レンズ内蔵型)
TN-2000S

資料請求・問い合わせフォーム